Karbur tas-silikon (SiC)huwa materjal semikonduttur ta 'bandgap wiesa' importanti użat ħafna f'apparat elettroniku ta 'qawwa għolja u ta' frekwenza għolja. Dawn li ġejjin huma xi parametri ewlenin ta 'wejfers tal-karbur tas-silikonu l-ispjegazzjonijiet dettaljati tagħhom:
Parametri tal-kannizzata:
Żgura li l-kostanti tal-kannizzata tas-sottostrat taqbel mas-saff epitassjali li jrid jitkabbar biex tnaqqas id-difetti u l-istress.
Pereżempju, 4H-SiC u 6H-SiC għandhom kostanti ta 'kannizzata differenti, li jaffettwaw il-kwalità tas-saff epitassjali tagħhom u l-prestazzjoni tal-apparat.
Sekwenza ta' stivar:
SiC huwa magħmul minn atomi tas-silikon u atomi tal-karbonju fi proporzjon 1:1 fuq skala makro, iżda l-ordni tal-arranġament tas-saffi atomiċi hija differenti, li se jiffurmaw strutturi tal-kristall differenti.
Forom tal-kristall komuni jinkludu 3C-SiC (struttura kubika), 4H-SiC (struttura eżagonali), u 6H-SiC (struttura eżagonali), u s-sekwenzi ta 'stacking korrispondenti huma: ABC, ABCB, ABCACB, eċċ Kull forma tal-kristall għandha elettronika differenti karatteristiċi u proprjetajiet fiżiċi, għalhekk l-għażla tal-forma tal-kristall it-tajba hija kruċjali għal applikazzjonijiet speċifiċi.
Ebusija Mohs: Jiddetermina l-ebusija tas-sottostrat, li taffettwa l-faċilità tal-ipproċessar u r-reżistenza għall-ilbies.
Il-karbur tas-silikon għandu ebusija Mohs għolja ħafna, ġeneralment bejn 9-9.5, li jagħmilha materjal iebes ħafna adattat għal applikazzjonijiet li jeħtieġu reżistenza għolja għall-ilbies.
Densità: Taffettwa s-saħħa mekkanika u l-proprjetajiet termali tas-sottostrat.
Densità għolja ġeneralment tfisser saħħa mekkanika aħjar u konduttività termali.
Koeffiċjent ta 'Espansjoni Termali: Jirreferi għaż-żieda fit-tul jew il-volum tas-sottostrat relattiv għat-tul jew il-volum oriġinali meta t-temperatura togħla bi grad Celsius.
It-twaħħil bejn is-sottostrat u s-saff epitassjali taħt bidliet fit-temperatura jaffettwa l-istabbiltà termali tal-apparat.
Indiċi refrattiv: Għal applikazzjonijiet ottiċi, l-indiċi refrattiv huwa parametru ewlieni fid-disinn ta 'apparati optoelettroniċi.
Id-differenzi fl-indiċi refrattiv jaffettwaw il-veloċità u l-mogħdija tal-mewġ tad-dawl fil-materjal.
Kostant Dielettrika: Taffettwa l-karatteristiċi tal-kapaċità tal-apparat.
Kostanti dielettrika aktar baxxa tgħin biex tnaqqas il-kapaċità parassitika u ttejjeb il-prestazzjoni tal-apparat.
Konduttività Termali:
Kritika għal applikazzjonijiet ta 'qawwa għolja u ta' temperatura għolja, li jaffettwaw l-effiċjenza tat-tkessiħ tal-apparat.
Il-konduttività termali għolja tal-karbur tas-silikon tagħmilha adattata tajjeb għal apparati elettroniċi ta 'qawwa għolja minħabba li tista' effettivament twettaq is-sħana 'l bogħod mill-apparat.
Band-distakk:
Jirreferi għad-differenza tal-enerġija bejn in-naħa ta 'fuq tal-faxxa ta' valenza u l-qiegħ tal-faxxa tal-konduzzjoni f'materjal semikonduttur.
Materjali b'distakk wiesa 'jeħtieġu enerġija ogħla biex jistimulaw it-transizzjonijiet tal-elettroni, li jagħmel il-karbur tas-silikon jaħdem tajjeb f'ambjenti ta' temperatura għolja u radjazzjoni għolja.
Qasam Elettriku ta' Tkissir:
Il-vultaġġ tal-limitu li materjal semikonduttur jista 'jiflaħ.
Il-karbur tas-silikon għandu kamp elettriku ta 'tqassim għoli ħafna, li jippermettilu jiflaħ vultaġġi estremament għoljin mingħajr ma jitkisser.
Veloċità tad-Drift tas-Saturazzjoni:
Il-veloċità medja massima li t-trasportaturi jistgħu jilħqu wara li ċertu kamp elettriku jiġi applikat f'materjal semikonduttur.
Meta s-saħħa tal-kamp elettriku tiżdied sa ċertu livell, il-veloċità tal-ġarr ma tibqax tiżdied b'aktar titjib tal-kamp elettriku. Il-veloċità f'dan il-ħin tissejjaħ il-veloċità tad-drift tas-saturazzjoni. SiC għandu veloċità għolja ta 'drift ta' saturazzjoni, li hija ta 'benefiċċju għar-realizzazzjoni ta' apparat elettroniku ta 'veloċità għolja.
Dawn il-parametri flimkien jiddeterminaw il-prestazzjoni u l-applikabilità ta 'Wejfers tas-SiCf'diversi applikazzjonijiet, speċjalment dawk f'ambjenti ta 'qawwa għolja, ta' frekwenza għolja u ta 'temperatura għolja.
Ħin tal-post: Lulju-30-2024