Partijiet epitassjali MOCVD

Proċess miksi b'SiC għal SiC Coated Graphite Carriers b'bażi tal-grafita
Epitassija GaN ibbażata fuq is-silikon
Diska epitassjali tas-silikon monokristallin miksija b'SiC semikonduttur
Susceptor tal-grafita b'Kisi tal-Karbur tas-Silikon, Carrier tal-wejfer ta '8 pulzieri
19-il biċċa ta 'partijiet ta' tagħmir MOCVD ta 'bażi tal-grafita ta' 2 pulzieri
Susceptor tal-grafita b'Kisi tal-Karbur tas-Silikon, 6 biċċiet 6 pulzieri Wejfer Carrier
Diska tal-karbur tas-silikon għal MOCVD
Trej MOCVD miksi b'SiC ta 'purità għolja kontra l-ossidazzjoni
41 biċċa 4 pulzier grafita bażi MOCVD tagħmir partijiet
36 biċċa ta 'partijiet ta' tagħmir MOCVD ta 'bażi tal-grafita ta' 4 pulzieri
Epitassija LED blu/aħdar