-
Proċess tal-Manifattura tas-Semikondutturi - Teknoloġija Etch
Mijiet ta 'proċessi huma meħtieġa biex jibdlu wejfer f'semikonduttur. Wieħed mill-aktar proċessi importanti huwa l-inċiżjoni - jiġifieri, l-inqix mudelli ta 'ċirkwiti fini fuq il-wejfer. Is-suċċess tal-proċess ta 'inċiżjoni jiddependi fuq il-ġestjoni ta' varjabbli varji fi ħdan firxa ta 'distribuzzjoni stabbilita, u kull inċiżjoni...Aqra aktar -
Materjal Ideali għal Ċrieki ta 'Focus f'Tagħmir ta' Inċiżjoni tal-Plasma: Karbur tas-Silikon (SiC)
Fit-tagħmir tal-inċiżjoni tal-plażma, il-komponenti taċ-ċeramika għandhom rwol kruċjali, inkluż iċ-ċirku tal-fokus. Iċ-ċirku tal-fokus, imqiegħed madwar il-wejfer u f'kuntatt dirett magħha, huwa essenzjali biex tiffoka l-plażma fuq il-wejfer billi tapplika vultaġġ għaċ-ċirku. Dan isaħħaħ l-un...Aqra aktar -
Effett tal-ipproċessar tal-kristall wieħed tal-karbur tas-silikon fuq il-kwalità tal-wiċċ tal-wejfer
L-apparati tal-enerġija semikondutturi jokkupaw pożizzjoni ċentrali fis-sistemi elettroniċi tal-enerġija, speċjalment fil-kuntest tal-iżvilupp mgħaġġel ta 'teknoloġiji bħal intelliġenza artifiċjali, komunikazzjonijiet 5G u vetturi tal-enerġija ġodda, ir-rekwiżiti tal-prestazzjoni għalihom kienu...Aqra aktar -
Materjal ewlieni tal-qalba għat-tkabbir tas-SiC: Kisi tal-karbur tat-tantalu
Fil-preżent, it-tielet ġenerazzjoni ta 'semikondutturi hija ddominata minn karbur tas-silikon. Fl-istruttura tal-ispiża tal-apparati tagħha, is-sottostrat jammonta għal 47%, u l-epitassija jammonta għal 23%. It-tnejn flimkien jammontaw għal madwar 70%, li hija l-aktar parti importanti tal-manifattura tal-apparat tal-karbur tas-silikon...Aqra aktar -
Kif il-prodotti miksija bil-karbur tat-tantalu jtejbu r-reżistenza għall-korrużjoni tal-materjali?
Il-kisi tal-karbur tat-tantalu huwa teknoloġija ta 'trattament tal-wiċċ użata b'mod komuni li tista' ttejjeb b'mod sinifikanti r-reżistenza għall-korrużjoni tal-materjali. Il-kisi tal-karbur tat-tantalu jista 'jitwaħħal mal-wiċċ tas-sottostrat permezz ta' metodi ta 'preparazzjoni differenti, bħal depożizzjoni kimika tal-fwar, physica...Aqra aktar -
Il-bieraħ, il-Bord għall-Innovazzjoni tax-Xjenza u t-Teknoloġija ħareġ avviż li Huazhuo Precision Technology temm l-IPO tiegħu!
Eżatt ħabbret il-kunsinna tal-ewwel tagħmir ta 'ttemprar tal-lejżer SIC ta' 8 pulzieri fiċ-Ċina, li hija wkoll it-teknoloġija ta 'Tsinghua; Għaliex irtiraw il-materjali huma stess? Ftit kliem biss: L-ewwel, il-prodotti huma wisq diversi! L-ewwel daqqa t’għajn, ma nafx x’jagħmlu. Fil-preżent, H...Aqra aktar -
Kisi tal-karbur tas-silikon CVD-2
Kisi tal-karbur tas-silikon CVD 1. Għaliex hemm kisi tal-karbur tas-silikon Is-saff epitassjali huwa film irqiq ta 'kristall wieħed speċifiku mkabbar fuq il-bażi tal-wejfer permezz tal-proċess epitassjali. Il-wejfer tas-sottostrat u l-film irqiq epitassjali huma kollettivament imsejħa wejfers epitassjali. Fosthom, il-...Aqra aktar -
Proċess ta 'preparazzjoni ta' kisi SIC
Fil-preżent, il-metodi ta 'preparazzjoni ta' kisi SiC jinkludu prinċipalment metodu ta 'ġel-sol, metodu ta' inkorporazzjoni, metodu ta 'kisi ta' pinzell, metodu ta 'bexx tal-plażma, metodu ta' reazzjoni kimika tal-fwar (CVR) u metodu ta 'depożizzjoni ta' fwar kimiku (CVD). Metodu ta 'inkorporazzjoniDan il-metodu huwa tip ta' fażi solida b'temperatura għolja ...Aqra aktar -
CVD Kisi tal-Karbur tas-Silikon-1
X'inhu CVD SiC Depożizzjoni tal-fwar kimiku (CVD) huwa proċess ta 'depożizzjoni fil-vakwu użat biex jipproduċi materjali solidi ta' purità għolja. Dan il-proċess ħafna drabi jintuża fil-qasam tal-manifattura tas-semikondutturi biex jifforma films irqaq fuq il-wiċċ tal-wejfers. Fil-proċess tal-preparazzjoni tas-SiC permezz tas-CVD, is-sottostrat huwa exp...Aqra aktar -
Analiżi ta 'struttura ta' dislokazzjoni fil-kristall SiC permezz ta 'simulazzjoni ta' traċċar tar-raġġi assistita minn immaġini topoloġiċi tar-raġġi X
Sfond tar-riċerka Importanza tal-applikazzjoni tal-karbur tas-silikon (SiC): Bħala materjal semikonduttur ta 'bandgap wiesa', karbur tas-silikon ġibed ħafna attenzjoni minħabba l-proprjetajiet elettriċi eċċellenti tiegħu (bħal bandgap akbar, veloċità ogħla ta 'saturazzjoni tal-elettroni u konduttività termali). Dawn il-prop...Aqra aktar -
Proċess ta 'preparazzjoni tal-kristall taż-żerriegħa fit-tkabbir ta' kristall wieħed SiC 3
Verifika tat-Tkabbir Il-kristalli taż-żerriegħa tal-karbur tas-silikon (SiC) ġew ippreparati wara l-proċess deskritt fil-qosor u vvalidati permezz tat-tkabbir tal-kristall SiC. Il-pjattaforma tat-tkabbir użata kienet forn tat-tkabbir ta 'induzzjoni SiC żviluppata waħedha b'temperatura ta' tkabbir ta '2200 ℃, pressjoni ta' tkabbir ta '200 Pa, u tkabbir...Aqra aktar -
Proċess ta' Preparazzjoni tal-Kristall taż-Żerriegħa fi Tkabbir ta' Kristall Uniku SiC (Parti 2)
2. Proċess Sperimentali 2.1 Vulkanizzar ta 'Film Adeżiv Ġie osservat li l-ħolqien dirett ta' film tal-karbonju jew twaħħil b'karta tal-grafita fuq wejfers tas-SiC miksija b'adeżiv wassal għal diversi kwistjonijiet: 1. Taħt kundizzjonijiet ta 'vakwu, il-film li jwaħħal fuq wejfers tas-SiC żviluppa dehra ta' skala dovuta. biex tiffirma...Aqra aktar