4″ 6″ 8″ Substrati konduttivi u semi-insulanti

Deskrizzjoni qasira:

Semicera hija impenjata li tipprovdi sottostrati ta 'semikondutturi ta' kwalità għolja, li huma materjali ewlenin għall-manifattura ta 'apparat semikonduttur. Is-sottostrati tagħna huma maqsuma f'tipi konduttivi u semi-insulanti biex jissodisfaw il-ħtiġijiet ta 'applikazzjonijiet differenti. Billi tifhem profondament il-proprjetajiet elettriċi tas-sottostrati, Semicera jgħinek tagħżel l-aktar materjali adattati biex tiżgura prestazzjoni eċċellenti fil-manifattura tal-apparat. Agħżel Semicera, agħżel kwalità eċċellenti li tenfasizza kemm l-affidabbiltà kif ukoll l-innovazzjoni.


Dettall tal-Prodott

Tags tal-Prodott

Materjal ta 'kristall wieħed tal-karbur tas-silikon (SiC) għandu wisa' ta 'faxxa kbira (~Si 3 darbiet), konduttività termali għolja (~Si 3.3 darbiet jew GaAs 10 darbiet), rata għolja ta' migrazzjoni tas-saturazzjoni tal-elettroni (~Si 2.5 darbiet), tqassim għoli elettriku qasam (~ Si 10 darbiet jew GaAs 5 darbiet) u karatteristiċi oħra pendenti.

Il-materjali semikondutturi tat-tielet ġenerazzjoni jinkludu prinċipalment SiC, GaN, djamant, eċċ., Minħabba li l-wisa 'tagħha tal-banda gap (Eż.) hija akbar minn jew ugwali għal 2.3 electron volts (eV), magħrufa wkoll bħala materjali semikondutturi tal-faxxa wiesgħa. Meta mqabbel mal-materjali semikondutturi tal-ewwel u t-tieni ġenerazzjoni, il-materjali semikondutturi tat-tielet ġenerazzjoni għandhom il-vantaġġi ta 'konduttività termali għolja, kamp elettriku ta' tqassim għoli, rata għolja ta 'migrazzjoni tal-elettroni saturati u enerġija għolja ta' twaħħil, li jistgħu jissodisfaw ir-rekwiżiti l-ġodda tat-teknoloġija elettronika moderna għal għoli temperatura, qawwa għolja, pressjoni għolja, frekwenza għolja u reżistenza għar-radjazzjoni u kundizzjonijiet ħarxa oħra. Għandu prospetti ta 'applikazzjoni importanti fl-oqsma tad-difiża nazzjonali, l-avjazzjoni, l-ajruspazju, l-esplorazzjoni taż-żejt, il-ħażna ottika, eċċ., u jista' jnaqqas it-telf ta 'enerġija b'aktar minn 50% f'ħafna industriji strateġiċi bħal komunikazzjonijiet broadband, enerġija solari, manifattura tal-karozzi, Dawl tas-semikondutturi, u grid intelliġenti, u jista 'jnaqqas il-volum tat-tagħmir b'aktar minn 75%, li huwa ta' sinifikat importanti għall-iżvilupp tax-xjenza u t-teknoloġija tal-bniedem.

L-enerġija Semicera tista 'tipprovdi lill-klijenti b'substrat ta' karbur tas-silikon Konduttiv (Konduttiv), Semi-insulazzjoni (Semi-iżolanti), HPSI (Semi-iżolament ta 'Purità Għolja); Barra minn hekk, nistgħu nipprovdu lill-klijenti folji epitassjali tal-karbur tas-silikon omoġenji u eteroġenji; Nistgħu wkoll jippersonalizzaw il-folja epitassjali skont il-ħtiġijiet speċifiċi tal-klijenti, u m'hemm l-ebda kwantità minima ta 'ordni.

SPEĊIFIKAZZJONIJIET TAL-WAFERING

*n-Pm=n-tip Pm-Grad, n-Ps=n-tip Ps-Grad,Sl=Semi-insulanti

Oġġett 8-il pulzier 6-il pulzier 4-il pulzier
nP n-Pm n-Ps SI SI
TTV(GBIR) ≤6um ≤6um
Pruwa (GF3YFCD)-Valur Assolut ≤15μm ≤15μm ≤25μm ≤15μm
Medd (GF3YFER) ≤25μm ≤25μm ≤40μm ≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm <2μm
Xifer tal-wejfer Ċanfrin

TERMINA TAL-WIĊĊ

*n-Pm=n-tip Pm-Grad, n-Ps=n-tip Ps-Grad, Sl=Semi-iżolanti

ltem 8-il pulzier 6-il pulzier 4-il pulzier
nP n-Pm n-Ps SI SI
Finish tal-wiċċ Pollakk ottiku naħa doppja, Si- Face CMP
Ħruxija tal-wiċċ (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Face Ra≤ 0.5nm
(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm
Xifer Ċipep Xejn Permess (tul u wisa '≥0.5mm)
Inċiżi Xejn Permess
Grif (Si-Face) Qty.≤5, Kumulattiv
Length≤0.5 × dijametru tal-wejfer
Qty.≤5, Kumulattiv
Length≤0.5 × dijametru tal-wejfer
Qty.≤5, Kumulattiv
Length≤0.5 × dijametru tal-wejfer
Xquq Xejn Permess
Esklużjoni ta' Xifer 3mm
第2页-2
第2页-1
Wejfers tas-SiC

  • Preċedenti:
  • Li jmiss: