1.DwarWejfers epitassjali tal-Karbur tas-Silikon (SiC).
Wejfers epitassjali tas-Silikon Carbide (SiC) huma ffurmati billi jiġi depożitat saff ta 'kristall wieħed fuq wejfer bl-użu ta' wejfer ta 'kristall wieħed tal-karbur tas-silikon bħala sottostrat, ġeneralment permezz ta' depożizzjoni ta 'fwar kimiku (CVD). Fost dawn, l-epitassjali tal-karbur tas-silikon huwa ppreparat billi jikber saff epitassjali tal-karbur tas-silikon fuq is-sottostrat tal-karbur tas-silikon konduttiv, u fabbrikat aktar f'apparati ta 'prestazzjoni għolja.
2.Wafer epitassjali tal-karbur tas-silikonSpeċifikazzjonijiet
Nistgħu nipprovdu wejfers epitassjali 4H-SiC tat-tip N ta '4, 6, 8 pulzieri. Il-wejfer epitassjali għandu bandwidth kbir, veloċità għolja tad-drift ta 'l-elettroni ta' saturazzjoni, gass ta 'elettroni bidimensjonali ta' veloċità għolja, u qawwa għolja tal-kamp tat-tqassim. Dawn il-proprjetajiet jagħmlu l-apparat reżistenza għat-temperatura għolja, reżistenza għal vultaġġ għoli, veloċità ta 'bidla mgħaġġla, reżistenza baxxa fuq, daqs żgħir u piż ħafif.
3. Applikazzjonijiet Epitassjali SiC
Wejfer epitassjali SiCjintuża prinċipalment f'dijodu Schottky (SBD), transistor tal-effett tal-kamp semikonduttur tal-ossidu tal-metall (MOSFET) transistor tal-effett tal-kamp tal-junction (JFET), transistor tal-junction bipolari (BJT), tiristor (SCR), transistor bipolari tal-bieb iżolat (IGBT), li jintuża f'oqsma ta 'vultaġġ baxx, vultaġġ medju u vultaġġ għoli. Bħalissa,Wejfers epitassjali SiCgħal applikazzjonijiet ta 'vultaġġ għoli huma fl-istadju ta' riċerka u żvilupp madwar id-dinja.
