Deskrizzjoni tal-prodott
Il-kumpanija tagħna tipprovdi servizzi ta 'proċess ta' kisi tas-SiC permezz tal-metodu CVD fuq il-wiċċ tal-grafita, ċeramika u materjali oħra, sabiex gassijiet speċjali li fihom karbonju u silikon jirreaġixxu f'temperatura għolja biex jiksbu molekuli SiC ta 'purità għolja, molekuli depożitati fuq il-wiċċ tal-materjali miksija, li jiffurmaw saff protettiv SIC.
Karatteristiċi ewlenin:
1. Reżistenza għall-ossidazzjoni f'temperatura għolja:
ir-reżistenza għall-ossidazzjoni għadha tajba ħafna meta t-temperatura tkun għolja daqs 1600 C.
2. Purità għolja: magħmul minn depożizzjoni ta 'fwar kimiku taħt kundizzjoni ta' klorinazzjoni f'temperatura għolja.
3. Reżistenza għall-erożjoni: ebusija għolja, wiċċ kompatt, partiċelli fini.
4. Reżistenza għall-korrużjoni: aċidu, alkali, melħ u reaġenti organiċi.
Speċifikazzjonijiet ewlenin tal-Kisi CVD-SIC
| SiC-CVD Proprjetajiet | ||
| Struttura tal-kristall | Fażi FCC β | |
| Densità | g/ċm ³ | 3.21 |
| Ebusija | Ebusija Vickers | 2500 |
| Daqs tal-qamħ | μm | 2~10 |
| Purità Kimika | % | 99.99995 |
| Kapaċità tas-Sħana | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura tas-sublimazzjoni | ℃ | 2700 |
| Qawwa Felexural | MPa (RT 4-punti) | 415 |
| Modulus taż-żgħażagħ | Gpa (liwja 4pt, 1300℃) | 430 |
| Espansjoni Termali (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Konduttività termali | (W/mK) | 300 |
-
Dgħajsa tal-wejfer tas-semikondutturi tal-karbur tas-silikon personalizzat...
-
Trasportaturi tal-kisi tas-SiC għall-inċiżjoni tas-semikondutturi
-
Epitaxy GaN ibbażat fuq Semikondutturi silikon
-
Deposizzjoni Epitassjali tas-Silikon F'Brel Susceptor
-
Carrier SiC għat-trattament tas-sħana tat-tisħin rapidu RTP/RTA...
-
Struttura tal-kanna għal Susceptor tal-kanna