Substrati tan-nitrur tal-gallju|Wejfers tal-GaN

Substrati tan-nitrur tal-gallju|Immaġni Dehru Wafers GaN

Deskrizzjoni qasira:

Nitrur tal-gallju (GaN), bħall-materjali tal-karbur tas-silikon (SiC), jappartjeni għat-tielet ġenerazzjoni ta 'materjali semikondutturi b'wisa' ta 'faxxa wiesgħa, b'wisa' ta 'faxxa kbira, konduttività termali għolja, rata ta' migrazzjoni ta 'saturazzjoni għolja ta' elettroni, u kamp elettriku ta 'tqassim għoli pendenti karatteristiċi.L-apparati GaN għandhom firxa wiesgħa ta 'prospetti ta' applikazzjoni f'oqsma ta 'frekwenza għolja, veloċità għolja u domanda ta' enerġija għolja bħal dawl LED li jiffranka l-enerġija, wiri ta 'projezzjoni bil-lejżer, vetturi tal-enerġija ġodda, grid intelliġenti, komunikazzjoni 5G.

Ibgħat email lilna

Dettall tal-Prodott

Tags tal-Prodott

Il-materjali semikondutturi tat-tielet ġenerazzjoni jinkludu prinċipalment SiC, GaN, djamant, eċċ., Minħabba li l-wisa 'tagħha tal-banda gap (Eż.) hija akbar minn jew ugwali għal 2.3 electron volts (eV), magħrufa wkoll bħala materjali semikondutturi tal-faxxa wiesgħa.Meta mqabbla mal-materjali semikondutturi tal-ewwel u t-tieni ġenerazzjoni, il-materjali semikondutturi tat-tielet ġenerazzjoni għandhom il-vantaġġi ta 'konduttività termali għolja, kamp elettriku ta' tqassim għoli, rata għolja ta 'migrazzjoni tal-elettroni saturati u enerġija għolja ta' twaħħil, li jistgħu jissodisfaw ir-rekwiżiti l-ġodda tat-teknoloġija elettronika moderna għal għoli temperatura, qawwa għolja, pressjoni għolja, frekwenza għolja u reżistenza għar-radjazzjoni u kundizzjonijiet ħarxa oħra.Għandu prospetti ta 'applikazzjoni importanti fl-oqsma tad-difiża nazzjonali, l-avjazzjoni, l-ajruspazju, l-esplorazzjoni taż-żejt, il-ħażna ottika, eċċ., u jista' jnaqqas it-telf ta 'enerġija b'aktar minn 50% f'ħafna industriji strateġiċi bħal komunikazzjonijiet broadband, enerġija solari, manifattura tal-karozzi, Dawl tas-semikondutturi, u grid intelliġenti, u jista 'jnaqqas il-volum tat-tagħmir b'aktar minn 75%, li huwa ta' sinifikat importanti għall-iżvilupp tax-xjenza u t-teknoloġija tal-bniedem.

Oġġett 项目	GaN-FS-CU-C50	GaN-FS-CN-C50	GaN-FS-C-SI-C50
Dijametru 晶圆直径	50.8 ± 1 mm
Ħxuna厚度	350 ± 25 μm
Orjentazzjoni 晶向	Pjan C (0001) angolu 'l barra lejn l-assi M 0.35 ± 0.15°
Prim Flat 主定位边	(1-100) 0 ± 0.5°, 16 ± 1 mm
Flat Sekondarja 次定位边	(11-20) 0 ± 3°, 8 ± 1 mm
Konduttività 导电性	tat-tip N	tat-tip N	Semi-iżolanti
Reżistenza (300K) 电阻率	< 0.1 Ω·ċm	< 0.05 Ω·ċm	> 106 Ω·ċm
TTV 平整度	≤ 15 μm
pruwa 弯曲度	≤ 20 μm
Ga Wiċċ Ħruxija tal-wiċċ Ga面粗糙度	< 0.2 nm (illustrat);
	jew < 0.3 nm (illustrat u trattament tal-wiċċ għall-epitassija)
N Ħruxija tal-wiċċ tal-wiċċ N面粗糙度	0.5 ~ 1.5 μm
	għażla: 1 ~ 3 nm (art fina);< 0.2 nm (illustrat)
Densità ta' Dislokazzjoni 位错密度	Minn 1 x 105 sa 3 x 106 cm-2 (ikkalkulat minn CL)*
Densità tad-Difett Makro 缺陷密度	< 2 ċm-2
Żona Użabbli 有效面积	> 90% (esklużjoni ta' xifer u makro difetti)
Jista 'jiġi personalizzat skond il-ħtiġijiet tal-klijent, struttura differenti ta' silikon, żaffir, folja epitassjali GaN ibbażata fuq SiC.