Elementi tat-Tisħin Għal Sostrat MOCVD

Elementi tat-Tisħin Għall-Immaġni Dehru Substrat MOCVD

Deskrizzjoni qasira:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. huwa fornitur ewlieni ta 'ċeramika semikonduttur avvanzata u l-uniku manifattur fiċ-Ċina li fl-istess ħin jista' jipprovdi ċeramika tal-karbur tas-silikon ta 'purità għolja (speċjalment il-Rikristallizzat SiC) u kisi CVD SiC.Barra minn hekk, il-kumpanija tagħna hija wkoll impenjata għall-oqsma taċ-ċeramika bħall-alumina, nitrur tal-aluminju, zirconia, u nitrur tas-silikon, eċċ.

Ibgħat email lilna

Dettall tal-Prodott

Tags tal-Prodott

Karatteristiċi ewlenin tal-heater tal-grafita:

1. uniformità ta ' l-istruttura tat-tisħin.

2. konduttività elettrika tajba u tagħbija elettrika għolja.

3. reżistenza għall-korrużjoni.

4. inossidabbiltà.

5. purità kimika għolja.

6. saħħa mekkanika għolja.

Il-vantaġġ huwa effiċjenti fl-enerġija, valur għoli u manutenzjoni baxxa.Nistgħu nipproduċu griġjol tal-grafita kontra l-ossidazzjoni u ħajja twila, moffa tal-grafita u l-partijiet kollha tal-heater tal-grafita.

MOCVD-Substrat-Heater-Elementi-Tisħin-Għal-MOCVD3-300x300

Parametri ewlenin tal-heater tal-grafita

Speċifikazzjoni Teknika	Semicera-M3
Densità tal-massa (g/cm3)	≥1.85
Kontenut tal-Irmied (PPM)	≤500
Ebusija tax-Xatt	≥45
Reżistenza Speċifika (μ.Ω.m)	≤12
Qawwa tal-Flessura (Mpa)	≥40
Qawwa Kompressiva (Mpa)	≥70
Max.Daqs tal-qamħ (μm)	≤43
Koeffiċjent ta 'Espansjoni Termali Mm/°C	≤4.4 * 10-6