karatteristiċi:
Ir-reżistività taċ-ċeramika bi proprjetajiet semikondutturi hija ta 'madwar 10-5 ~ 107ω.cm, u l-proprjetajiet semikondutturi ta' materjali taċ-ċeramika jistgħu jinkisbu bid-doping jew li jikkawżaw difetti tal-kannizzata kkawżati minn devjazzjoni stojkjometrika.Iċ-ċeramika li tuża dan il-metodu tinkludi TiO2,
ZnO, CdS, BaTiO3, Fe2O3, Cr2O3 u SiC.Il-karatteristiċi differenti taċ-ċeramika tas-semikondutturi huma li l-konduttività elettrika tagħhom tinbidel mal-ambjent, li jista 'jintuża biex jagħmel diversi tipi ta' apparati sensittivi taċ-ċeramika.
Bħal sensittivi għas-sħana, sensittivi għall-gass, sensittivi għall-umdità, sensittivi għall-pressjoni, sensittivi għad-dawl u sensuri oħra.Materjali spinel semikondutturi, bħal Fe3O4, huma mħallta ma 'materjali spinel mhux kondutturi, bħal MgAl2O4, f'soluzzjonijiet solidi kkontrollati.
MgCr2O4, u Zr2TiO4, jistgħu jintużaw bħala termistors, li huma apparati ta 'reżistenza kkontrollati bir-reqqa li jvarjaw mat-temperatura.ZnO jista 'jiġi modifikat billi żżid ossidi bħal Bi, Mn, Co u Cr.
Ħafna minn dawn l-ossidi mhumiex maħlul b'mod solidu f'ZnO, iżda deflessjoni fuq il-konfini tal-qamħ biex jiffurmaw saff ta 'barriera, sabiex jinkisbu materjali taċ-ċeramika varistor ZnO, u huwa tip ta' materjal bl-aħjar prestazzjoni fiċ-ċeramika varistor.
Doping tas-SiC (bħal karbonju iswed uman, trab tal-grafita) jista 'jħejji materjali semikondutturi bi stabbiltà ta' temperatura għolja, użati bħala elementi ta 'tisħin ta' reżistenza varji, jiġifieri, vireg tal-karbonju tas-silikon fi fran elettriċi ta 'temperatura għolja.Ikkontrolla r-reżistività u s-sezzjoni trasversali tas-SiC biex tikseb kważi kull ħaġa mixtieqa
Il-kundizzjonijiet operattivi (sa 1500 ° C), iżidu r-reżistenza tiegħu u jnaqqsu s-sezzjoni trasversali tal-element tat-tisħin se jżidu s-sħana ġġenerata.Virga tal-karbonju tas-silikon fl-arja se sseħħ reazzjoni ta 'ossidazzjoni, l-użu tat-temperatura huwa ġeneralment limitat għal 1600 ° C hawn taħt, it-tip ordinarju ta' virga tal-karbonju tas-silikon
It-temperatura operattiva sigura hija 1350°C.F'SiC, atomu Si jinbidel b'atomu N, minħabba li N għandu aktar elettroni, hemm elettroni żejda, u l-livell ta 'enerġija tiegħu huwa qrib il-faxxa ta' konduzzjoni aktar baxxa u huwa faċli li tgħolli għall-faxxa ta 'konduzzjoni, għalhekk dan l-istat ta' enerġija jissejjaħ ukoll il-livell tad-donaturi, dan in-nofs
Il-kondutturi huma semikondutturi tat-tip N jew semikondutturi li jwasslu elettronikament.Jekk atomu Al jintuża fis-SiC biex jissostitwixxi atomu Si, minħabba n-nuqqas ta 'elettron, l-istat tal-enerġija tal-materjal iffurmat huwa qrib il-medda tal-elettroni ta' valenza hawn fuq, huwa faċli li taċċetta elettroni, u għalhekk tissejjaħ aċċettant
Il-livell ta 'enerġija prinċipali, li jħalli pożizzjoni vakanti fil-faxxa ta' valenza li tista 'tmexxi l-elettroni minħabba li l-pożizzjoni vakanti taġixxi l-istess bħall-ġarrier ta' ċarġ pożittiv, jissejjaħ semikonduttur tat-tip P jew semikonduttur ta 'toqba (H. Sarman, 1989).
Ħin tal-post: Settembru-02-2023