Bħala wieħed mill-komponenti ewlenin ta 'Tagħmir MOCVD, bażi tal-grafita hija t-trasportatur u l-korp tat-tisħin tas-sottostrat, li tiddetermina direttament l-uniformità u l-purità tal-materjal tal-film, għalhekk il-kwalità tagħha taffettwa direttament il-preparazzjoni tal-folja epitassjali, u fl-istess ħin, biż-żieda tan-numru ta ' użi u l-bidla tal-kundizzjonijiet tax-xogħol, huwa faċli ħafna li jilbsu, li jappartjenu għall-konsumabbli.
Għalkemm il-grafita għandha konduttività termali u stabbiltà eċċellenti, għandha vantaġġ tajjeb bħala komponent bażi ta 'Tagħmir MOCVD, iżda fil-proċess ta 'produzzjoni, il-grafita se jissaddad it-trab minħabba r-residwu ta' gassijiet korrużivi u organiċi metalliċi, u l-ħajja tas-servizz tal-bażi tal-grafita titnaqqas ħafna.Fl-istess ħin, it-trab tal-grafita li jaqa 'jikkawża tniġġis liċ-ċippa.
It-tfaċċar tat-teknoloġija tal-kisi jista 'jipprovdi l-iffissar tat-trab tal-wiċċ, ittejjeb il-konduttività termali, u jqabbel id-distribuzzjoni tas-sħana, li saret it-teknoloġija ewlenija biex issolvi din il-problema.Bażi tal-grafita inTagħmir MOCVDuża l-ambjent, il-kisi tal-wiċċ tal-bażi tal-grafita għandu jissodisfa l-karatteristiċi li ġejjin:
(1) Il-bażi tal-grafita tista 'tkun imgeżwer bis-sħiħ, u d-densità hija tajba, inkella l-bażi tal-grafita hija faċli biex tiġi msadda fil-gass korrużiv.
(2) Is-saħħa tal-kombinazzjoni mal-bażi tal-grafita hija għolja biex tiżgura li l-kisja ma tkunx faċli li taqa 'wara diversi ċikli ta' temperatura għolja u temperatura baxxa.
(3) Għandha stabbiltà kimika tajba biex tevita nuqqas ta 'kisi f'temperatura għolja u atmosfera korrużiva.
Is-SiC għandu l-vantaġġi ta 'reżistenza għall-korrużjoni, konduttività termali għolja, reżistenza għal xokk termali u stabbiltà kimika għolja, u jista' jaħdem tajjeb fl-atmosfera epitassjali GaN.Barra minn hekk, il-koeffiċjent ta 'espansjoni termali tas-SiC ftit li xejn ivarja minn dak tal-grafita, għalhekk SiC huwa l-materjal preferut għall-kisi tal-wiċċ tal-bażi tal-grafita.
Fil-preżent, is-SiC komuni huwa prinċipalment tat-tip 3C, 4H u 6H, u l-użi tas-SiC ta 'tipi differenti ta' kristall huma differenti.Pereżempju, 4H-SiC jista 'jimmanifattura apparati ta' qawwa għolja;6H-SiC huwa l-aktar stabbli u jista 'jimmanifattura apparat fotoelettriku;Minħabba l-istruttura simili tiegħu għal GaN, 3C-SiC jista 'jintuża biex jipproduċi saff epitassjali GaN u jimmanifattura tagħmir RF SiC-GaN.3C-SiC huwa wkoll komunement magħruf bħalaβ-SiC, u użu importanti ta 'β-SiC huwa bħala film u materjal tal-kisi, hekkβ-SiC bħalissa huwa l-materjal ewlieni għall-kisi.
Ħin tal-post: Nov-06-2023