Deskrizzjoni
Ħiter tas-sottostrat MOCVD, Elementi tat-Tisħin Għal MOCVD
Ħiter tal-grafita:
Il-komponenti tal-heater tal-grafita jintużaw fil-forn b'temperatura għolja b'temperatura laħqet 2200 grad f'ambjent vakwu u 3000 grad fl-ambjent tal-gass deossidizzat u mdaħħal.
Karatteristiċi ewlenin tal-heater tal-grafita
1. uniformità ta ' l-istruttura tat-tisħin.
2. konduttività elettrika tajba u tagħbija elettrika għolja.
3. reżistenza għall-korrużjoni.
4. inossidabbiltà.
5. purità kimika għolja.
6. saħħa mekkanika għolja.
Il-vantaġġ huwa effiċjenti fl-enerġija, valur għoli u manutenzjoni baxxa.
Nistgħu nipproduċu griġjol tal-grafita kontra l-ossidazzjoni u ħajja twila, moffa tal-grafita u l-partijiet kollha tal-heater tal-grafita.
Grafita Kimika
Vantaġġ: Reżistenza għat-temperatura għolja
Applikazzjoni: MOCVD/forn bil-vakwu/żona sħuna
Densità tal-massa: 1.68-1.91g/cm3
Saħħa tal-flessjoni: 30-46Mpa
Reżistenza: 7-12μΩm
Parametri ewlenin tal-heater tal-grafita
| Speċifikazzjoni Teknika | VET-M3 |
| Densità tal-massa (g/cm3) | ≥1.85 |
| Kontenut tal-Irmied (PPM) | ≤500 |
| Ebusija tax-Xatt | ≥45 |
| Reżistenza Speċifika (μ.Ω.m) | ≤12 |
| Qawwa tal-Flessura (Mpa) | ≥40 |
| Qawwa Kompressiva (Mpa) | ≥70 |
| Max. Daqs tal-qamħ (μm) | ≤43 |
| Koeffiċjent ta 'Espansjoni Termali Mm/°C | ≤4.4 * 10-6 |
Ħiter tal-grafita għall-forn elettriku għandu proprjetajiet ta 'reżistenza tas-sħana, reżistenza għall-ossidazzjoni, konduttività elettrika tajba u intensità mekkanika aħjar. Nistgħu magni diversi tipi ta 'heater tal-grafita skond id-disinji tal-klijenti.
Profil tal-Kumpanija
WeiTai Energy Technology Co., Ltd hija fornitur ewlieni ta 'ċeramika semikonduttur avvanzata u l-uniku manifattur fiċ-Ċina li jista' fl-istess ħin jipprovdi ċeramika ta 'karbur tas-silikon ta' purità għolja (speċjalment is-SiC Rekristallizzat) u kisi CVD SiC. Barra minn hekk, il-kumpanija tagħna hija wkoll impenjata għall-oqsma taċ-ċeramika bħall-alumina, nitrur tal-aluminju, żirkonja, u nitrur tas-silikon, eċċ.
Prodotti ewlenin tagħna jinkludu: diska tal-inċiżjoni tal-karbur tas-silikon, stoppa tad-dgħajsa tal-karbur tas-silikon, dgħajsa tal-wejfer tal-karbur tas-silikon (Photovoltaic & Semiconductor), tubu tal-forn tal-karbur tas-silikon, paddle cantilever tal-karbur tas-silikon, chucks tal-karbur tas-silikon, raġġ tal-karbur tas-silikon, kif ukoll il-kisi CVD SiC u TaC kisi. Il-prodotti prinċipalment użati fl-industriji tas-semikondutturi u fotovoltajċi, bħal tagħmir għat-tkabbir tal-kristall, epitassi, inċiżjoni, ippakkjar, kisi u fran tad-diffużjoni, eċċ.
Il-kumpanija tagħna għandha t-tagħmir tal-produzzjoni komplut bħal molding, sinterizzazzjoni, ipproċessar, tagħmir tal-kisi, eċċ., Li jista 'jlesti r-rabtiet kollha meħtieġa tal-produzzjoni tal-prodott u jkollu kontrollabbiltà ogħla tal-kwalità tal-prodott; L-aħjar pjan ta 'produzzjoni jista' jintgħażel skont il-ħtiġijiet tal-prodott, li jirriżulta fi spiża aktar baxxa u li jipprovdi lill-klijenti prodotti aktar kompetittivi; Nistgħu b'mod flessibbli u effiċjenti niskedaw il-produzzjoni bbażata fuq ir-rekwiżiti tal-kunsinna tal-ordnijiet u flimkien ma 'sistemi ta' ġestjoni tal-ordnijiet onlajn, u nipprovdu lill-klijenti ħin ta 'kunsinna aktar mgħaġġel u garantit.
