Proċess miksi b'SiC għal SiC Coated Graphite Carriers b'bażi ​​tal-grafita

Aħna nżommu tolleranzi mill-qrib ħafna meta napplikaw il-Kisi SiC, bl-użu ta 'magni ta' preċiżjoni għolja biex jiġi żgurat profil uniformi ta 'susceptor.Aħna nipproduċu wkoll materjali bi proprjetajiet ta 'reżistenza elettrika ideali għall-użu f'sistemi msaħħna b'mod induttiv.Il-komponenti lesti kollha jiġu b'ċertifikat ta 'purità u konformità dimensjonali.

Kumpanija tagħna tipprovdiKisi SiCservizzi ta 'proċess bil-metodu CVD fuq il-wiċċ tal-grafita, ċeramika u materjali oħra, sabiex gassijiet speċjali li fihom il-karbonju u silikon jirreaġixxu f'temperatura għolja biex jiksbu molekuli SiC ta' purità għolja, molekuli depożitati fuq il-wiċċ tal-materjali miksija, li jiffurmaw saff protettiv SIC.Is-SIC iffurmat huwa marbut sew mal-bażi tal-grafita, u jagħti lill-bażi tal-grafita proprjetajiet speċjali, u b'hekk il-wiċċ tal-grafita jkun kompatt, ħieles mill-porosità, reżistenza għat-temperatura għolja, reżistenza għall-korrużjoni u reżistenza għall-ossidazzjoni.

Il-proċess CVD jagħti purità estremament għolja u densità teoretika ta 'Kisi SiCmingħajr porożità.Barra minn hekk, peress li l-karbur tas-silikon huwa iebes ħafna, jista 'jiġi illustrat għal wiċċ bħal mera.Kisi CVD tal-karbur tas-silikon (SiC).wassal diversi vantaġġi inkluż wiċċ ta 'purità ultra-għolja u durabilità estremament jilbsu.Peress li l-prodotti miksija għandhom prestazzjoni kbira f'ċirkustanza ta 'vakwu għoli u temperatura għolja, huma ideali għal applikazzjonijiet fl-industrija tas-semikondutturi u ambjent ieħor ultra-nodfa.Aħna nipprovdu wkoll prodotti tal-grafita pirolitika (PG).