Barrel tar-Reattur Epitassjali miksi bis-SiC

Immaġni Dehru Kanna tar-Reattur Epitassjali miksija b'SiC

Deskrizzjoni qasira:

Semicera toffri firxa komprensiva ta 'susceptors u komponenti tal-grafita ddisinjati għal diversi reatturi ta' epitaxy.

Permezz ta 'sħubiji strateġiċi ma' OEMs ewlenin fl-industrija, għarfien espert estensiv tal-materjali, u kapaċitajiet ta 'manifattura avvanzati, Semicera tagħti disinji mfassla biex jissodisfaw ir-rekwiżiti speċifiċi tal-applikazzjoni tiegħek. L-impenn tagħna għall-eċċellenza jiżgura li tirċievi l-aħjar soluzzjonijiet għall-ħtiġijiet tiegħek tar-reattur epitassija.

Ibgħat email lilna

Dettall tal-Prodott

Tags tal-Prodott

Deskrizzjoni

Kumpanija tagħna tipprovdiKisi SiCservizzi ta 'proċessar fuq il-wiċċ tal-grafita, ċeramika u materjali oħra bil-metodu CVD, sabiex gassijiet speċjali li jkun fihom karbonju u silikon jistgħu jirreaġixxu f'temperatura għolja biex jiksbu molekuli Sic ta' purità għolja, li jistgħu jiġu depożitati fuq il-wiċċ ta 'materjali miksija biex jiffurmaw aSaff protettiv tas-SiCgħal epitaxy barmil tip hy pnotic.

sic (1)

sic (2)

Karatteristiċi Ewlenin

1. Reżistenza għall-ossidazzjoni f'temperatura għolja:
ir-reżistenza għall-ossidazzjoni għadha tajba ħafna meta t-temperatura tkun għolja daqs 1600 C.
2. Purità għolja: magħmula minn depożizzjoni ta 'fwar kimiku taħt kundizzjoni ta' klorinazzjoni ta 'temperatura għolja.
3. Reżistenza għall-erożjoni: ebusija għolja, wiċċ kompatt, partiċelli fini.
4. Reżistenza għall-korrużjoni: aċidu, alkali, melħ u reaġenti organiċi.

Speċifikazzjonijiet ewlenin tal-Kisi CVD-SIC

SiC-CVD Proprjetajiet
Struttura tal-kristall	Fażi FCC β
Densità	g/ċm ³	3.21
Ebusija	Ebusija Vickers	2500
Daqs tal-qamħ	μm	2~10
Purità Kimika	%	99.99995
Kapaċità tas-Sħana	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura tas-sublimazzjoni	℃	2700
Qawwa Felexural	MPa (RT 4-punti)	415
Modulus taż-żgħażagħ	Gpa (liwja 4pt, 1300℃)	430
Espansjoni Termali (CTE)	10-6K-1	4.5
Konduttività termali	(W/mK)	300