Silikon Carbide (SiC) Wafer Susceptors għal MOCVD

Il-Susceptors tal-wejfer tal-karbur tas-silikon (SiC).għal MOCVD minn semicera huma ddisinjati għal proċessi epitassjali avvanzati, li joffru prestazzjoni superjuri għat-tnejnSi EpitaxyuSiC Epitassijaapplikazzjonijiet. L-approċċ innovattiv ta 'Semicera jiżgura li dawn is-susċetturi huma durabbli u effiċjenti, u jipprovdu stabbiltà u preċiżjoni għal operazzjonijiet kritiċi ta' manifattura.

Inġinerija biex tappoġġja l-bżonnijiet kumplessi ta 'Susceptor MOCVDsistemi, dawn il-prodotti huma versatili, kompatibbli ma 'trasportaturi bħal PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier, u RTP Carrier. Il-flessibbiltà tagħhom tagħmilhom adattati għal industriji ta 'teknoloġija għolja, inklużi dawk li jaħdmu magħhomLED EpitassjaliSusceptor u Silikon Monokristallin.

B'konfigurazzjonijiet multipli, inklużi Barrel Susceptor u Pancake Susceptor, dawn is-susceptors tal-wejfers huma wkoll essenzjali fis-settur fotovoltajku, li jappoġġjaw il-manifattura tal-Partijiet Fotovoltajċi. Għall-manifatturi tas-semikondutturi, il-kapaċità li jimmaniġġaw GaN fuq proċessi ta 'Epitassija SiC tagħmel dawn is-susċetturi ta' valur kbir biex jiżguraw output ta 'kwalità għolja f'firxa wiesgħa ta' applikazzjonijiet.