Sostrat tas-Silikon

Deskrizzjoni qasira:

Is-Sustrati tas-Silikon Semicera huma mfassla bi preċiżjoni għal applikazzjonijiet ta 'prestazzjoni għolja fl-elettronika u l-manifattura tas-semikondutturi. B'purità u uniformità eċċezzjonali, dawn is-sottostrati huma ddisinjati biex jappoġġjaw proċessi teknoloġiċi avvanzati. Semicera jiżgura kwalità konsistenti u affidabilità għall-proġetti l-aktar impenjattivi tiegħek.


Dettall tal-Prodott

Tags tal-Prodott

Is-Sustrati tas-Silikon Semicera huma maħduma biex jissodisfaw it-talbiet rigorużi tal-industrija tas-semikondutturi, li joffru kwalità u preċiżjoni mingħajr paragun. Dawn is-sottostrati jipprovdu pedament affidabbli għal diversi applikazzjonijiet, minn ċirkwiti integrati għal ċelloli fotovoltajċi, li jiżguraw l-aħjar prestazzjoni u lonġevità.

Il-purità għolja ta 'Semicera Silicon Substrates tiżgura difetti minimi u karatteristiċi elettriċi superjuri, li huma kritiċi għall-produzzjoni ta' komponenti elettroniċi ta 'effiċjenza għolja. Dan il-livell ta 'purità jgħin fit-tnaqqis tat-telf tal-enerġija u jtejjeb l-effiċjenza ġenerali tal-apparati semikondutturi.

Semicera timpjega tekniki ta 'manifattura avvanzati biex jipproduċu sottostrati tas-silikon b'uniformità u flatness eċċezzjonali. Din il-preċiżjoni hija essenzjali għall-kisba ta 'riżultati konsistenti fil-fabbrikazzjoni tas-semikondutturi, fejn anke l-iċken varjazzjoni tista' tħalli impatt fuq il-prestazzjoni u r-rendiment tal-apparat.

Disponibbli f'varjetà ta 'daqsijiet u speċifikazzjonijiet, Semicera Silicon Substrates jilqgħu għal firxa wiesgħa ta' ħtiġijiet industrijali. Kemm jekk qed tiżviluppa mikroproċessuri avvanzati jew pannelli solari, dawn is-sottostrati jipprovdu l-flessibilità u l-affidabbiltà meħtieġa għall-applikazzjoni speċifika tiegħek.

Semicera hija ddedikata biex tappoġġja l-innovazzjoni u l-effiċjenza fl-industrija tas-semikondutturi. Billi nipprovdu sottostrati tas-silikon ta 'kwalità għolja, inħallu lill-manifatturi jimbuttaw il-konfini tat-teknoloġija, u jwasslu prodotti li jissodisfaw it-talbiet li qed jevolvu tas-suq. Afda lil Semicera għas-soluzzjonijiet elettroniċi u fotovoltajċi tal-ġenerazzjoni li jmiss tiegħek.

Oġġetti

Produzzjoni

Riċerka

Manikin

Parametri tal-kristall

Politip

4H

Żball fl-orjentazzjoni tal-wiċċ

<11-20> 4±0.15°

Parametri elettriċi

Dopant

Nitroġenu tat-tip n

Reżistenza

0.015-0.025ohm · ċm

Parametri Mekkaniċi

Dijametru

150.0±0.2mm

Ħxuna

350±25 μm

Orjentazzjoni ċatta primarja

[1-100]±5°

Tul ċatt primarju

47.5±1.5mm

Flat sekondarju

Xejn

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm * 5mm)

≤5 μm (5mm * 5mm)

≤10 μm (5mm * 5mm)

pruwa

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Medd

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Quddiem (Si-face) ħruxija (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

Struttura

Densità tal-mikropipe

<1 ea/ċm2

<10 ea/ċm2

<15 ea/ċm2

Impuritajiet tal-metall

≤5E10atomi/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Kwalità ta 'quddiem

Quddiem

Si

Finitura tal-wiċċ

Si-face CMP

Partiċelli

≤60ea/wejfer (size≥0.3μm)

NA

Grif

≤5ea/mm. Tul kumulattiv ≤Diametru

Long≤2*Dijametru kumulattiv

NA

Qoxra tal-larinġ/fosos/tbajja/strijazzjonijiet/xquq/kontaminazzjoni

Xejn

NA

Ċipep tat-tarf/inċiżi/ksur/pjanċi hex

Xejn

Żoni tal-politip

Xejn

Żona kumulattiva≤20%

Żona kumulattiva≤30%

Immarkar bil-lejżer ta 'quddiem

Xejn

Lura Kwalità

Temm lura

C-wiċċ CMP

Grif

≤5ea/mm, tul kumulattiv≤2 * Dijametru

NA

Difetti tad-dahar (laqx tat-tarf/inċiżi)

Xejn

Ħruxija tad-dahar

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

L-immarkar bil-lejżer lura

1 mm (mit-tarf ta' fuq)

Xifer

Xifer

Ċanfrin

Ippakkjar

Ippakkjar

Epi-lest b'ippakkjar bil-vakwu

Ippakkjar tal-cassette multi-wejfer

*Noti: "NA" tfisser l-ebda talba Oġġetti mhux imsemmija jistgħu jirreferu għal SEMI-STD.

tech_1_2_size
Wejfers tas-SiC

  • Preċedenti:
  • Li jmiss: