Semicera jipprovdi kisjiet speċjalizzati tal-karbur tat-tantalu (TaC) għal diversi komponenti u trasportaturi.Il-proċess tal-kisi ewlieni tas-Semicera jippermetti kisjiet tal-karbur tat-tantalu (TaC) biex jiksbu purità għolja, stabbiltà ta 'temperatura għolja u tolleranza kimika għolja, ittejjeb il-kwalità tal-prodott tal-kristalli SIC/GAN u saffi EPI (Susceptor TaC miksi bil-grafita), u l-estensjoni tal-ħajja tal-komponenti ewlenin tar-reattur. L-użu tal-kisi TaC tal-karbur tat-tantalu huwa li ssolvi l-problema tat-tarf u jtejjeb il-kwalità tat-tkabbir tal-kristall, u Semicera ssolviet it-teknoloġija tal-kisi tal-karbur tat-tantalu (CVD), laħqet il-livell avvanzat internazzjonali.
Il-grafita hija materjal eċċellenti ta 'temperatura għolja, iżda jossidizza faċilment f'temperaturi għoljin. Anke fi fran tal-vakwu b'gass inert, xorta jista 'jgħaddi minn ossidazzjoni bil-mod. L-użu ta 'kisi tal-karbur tat-tantalu CVD (TaC) jista' jipproteġi b'mod effettiv is-sottostrat tal-grafita, u jipprovdi l-istess reżistenza għat-temperatura għolja bħall-grafita. TaC huwa wkoll materjal inert, li jfisser li mhux se jirreaġixxi ma 'gassijiet bħal argon jew idroġenu f'temperaturi għoljin.InkjestaTantalum Carbide CVD Kisi EPI Susceptor issa!
Wara snin ta 'żvilupp, Semicera rebaħ it-teknoloġija ta'CVD TaCbl-isforzi konġunti tad-dipartiment tal-R&D. Id-difetti huma faċli li jseħħu fil-proċess tat-tkabbir tal-wejfers tas-SiC, iżda wara l-użuTaC, id-differenza hija sinifikanti. Hawn taħt hemm paragun ta 'wejfers bi u mingħajr TaC, kif ukoll partijiet ta' Simicera għal tkabbir ta 'kristall wieħed.
bi u mingħajr TaC
Wara li tuża TaC (lemin)
Barra minn hekk, Semicera'sProdotti miksija bit-TaCjuru ħajja ta 'servizz itwal u reżistenza akbar għat-temperatura għolja meta mqabbla ma'Kisi SiC.Kejl tal-laboratorju wrew li tagħnaKisi tat-TaCjista 'jwettaq b'mod konsistenti f'temperaturi sa 2300 grad Celsius għal perjodi estiżi. Hawn taħt hawn xi eżempji tal-kampjuni tagħna:
