Ċina Wafer Manifatturi, Fornituri, Fabbrika
X'inhu l-wejfer tas-semikondutturi?
Wejfer semikonduttur huwa porzjon irqiq u tond ta 'materjal semikonduttur li jservi bħala l-pedament għall-fabbrikazzjoni ta' ċirkwiti integrati (ICs) u apparat elettroniku ieħor. Il-wejfer jipprovdi wiċċ ċatt u uniformi li fuqu jinbnew diversi komponenti elettroniċi.
Il-proċess tal-manifattura tal-wejfers jinvolvi diversi passi, inkluż it-tkabbir ta 'kristall wieħed kbir tal-materjal semikonduttur mixtieq, it-tqattigħ tal-kristall f'wejfers irqaq bl-użu ta' serrieq tad-djamanti, u mbagħad illustrar u tindif tal-wejfers biex tneħħi kwalunkwe difett tal-wiċċ jew impuritajiet. Il-wejfers li jirriżultaw għandhom wiċċ ċatt u lixx ħafna, li huwa kruċjali għall-proċessi ta 'fabbrikazzjoni sussegwenti.
Ladarba l-wejfers jiġu ppreparati, jgħaddu minn serje ta 'proċessi ta' manifattura ta 'semikondutturi, bħal fotolitografija, inċiżjoni, depożizzjoni, u doping, biex joħolqu l-mudelli u s-saffi kkomplikati meħtieġa biex jinbnew komponenti elettroniċi. Dawn il-proċessi huma ripetuti diversi drabi fuq wafer wieħed biex jinħolqu ċirkwiti integrati multipli jew apparat ieħor.
Wara li jitlesta l-proċess tal-fabbrikazzjoni, iċ-ċipep individwali huma separati billi l-wejfer jitqatta' f'dadi tul linji predefiniti. Iċ-ċipep separati mbagħad jiġu ppakkjati biex jipproteġuhom u jipprovdu konnessjonijiet elettriċi għall-integrazzjoni f'apparat elettroniku.
Materjali differenti fuq wejfer
Il-wejfers tas-semikondutturi huma magħmula primarjament minn silikon ta 'kristall wieħed minħabba l-abbundanza tiegħu, il-proprjetajiet elettriċi eċċellenti, u l-kompatibilità ma' proċessi standard ta 'manifattura ta' semikondutturi. Madankollu, skont applikazzjonijiet u rekwiżiti speċifiċi, materjali oħra jistgħu jintużaw ukoll biex isiru wejfers. Hawn huma xi eżempji:
Karbur tas-silikon (SiC) huwa materjal semikonduttur bandgap wiesa 'li joffri proprjetajiet fiżiċi superjuri meta mqabbel ma' materjali tradizzjonali. Jgħin biex jitnaqqas id-daqs u l-piż ta 'apparati diskreti, moduli, u anke sistemi sħaħ, filwaqt li ttejjeb l-effiċjenza.
Karatteristiċi ewlenin tas-SiC:
- -Bandgap wiesgħa:Il-bandgap tas-SiC huwa madwar tliet darbiet dak tas-silikon, li jippermettilu jaħdem f'temperaturi ogħla, sa 400°C.
- -Qasam ta' Tqassim Kritiku Għoli:SiC jista 'jiflaħ sa għaxar darbiet il-kamp elettriku tas-silikon, li jagħmilha ideali għal apparati ta' vultaġġ għoli.
- -Konduttività Termali Għolja:Is-SiC ineħħi s-sħana b'mod effiċjenti, u jgħin lill-apparati jżommu l-aħjar temperaturi operattivi u jtawlu l-ħajja tagħhom.
- -Veloċità ta 'Drift Elettron ta' Saturazzjoni Għolja:Bid-doppju tal-veloċità tad-drift tas-silikon, SiC jippermetti frekwenzi ta 'swiċċjar ogħla, li jgħin fil-minjaturizzazzjoni tal-apparat.
Applikazzjonijiet:
-
-Electronics tal-Enerġija:L-apparati tal-enerġija SiC jisbqu f'ambjenti ta 'vultaġġ għoli, kurrent għoli, temperatura għolja u frekwenza għolja, u jtejbu b'mod sinifikanti l-effiċjenza tal-konverżjoni tal-enerġija. Jintużaw ħafna f'vetturi elettriċi, stazzjonijiet tal-iċċarġjar, sistemi fotovoltajċi, trasport bil-ferrovija, u grids intelliġenti.
-
-Komunikazzjonijiet bil-microwave:L-apparati GaN RF ibbażati fuq SiC huma kruċjali għall-infrastruttura tal-komunikazzjoni mingħajr fili, speċjalment għall-istazzjonijiet bażi 5G. Dawn l-apparati jgħaqqdu l-konduttività termali eċċellenti ta 'SiC mal-ħruġ ta' RF ta 'frekwenza għolja u qawwa għolja ta' GaN, li jagħmluhom l-għażla preferuta għal netwerks tat-telekomunikazzjoni ta 'frekwenza għolja tal-ġenerazzjoni li jmiss.
Nitrur tal-gallju (GaN)huwa materjal semikonduttur ta 'bandgap wiesa' tat-tielet ġenerazzjoni b'bandgap kbir, konduttività termali għolja, veloċità għolja ta 'drift ta' saturazzjoni ta 'elettroni, u karatteristiċi ta' kamp ta 'tqassim eċċellenti. L-apparati GaN għandhom prospetti wesgħin ta 'applikazzjoni f'żoni ta' frekwenza għolja, veloċità għolja u qawwa għolja bħal dawl LED li jiffranka l-enerġija, wirjiet ta 'projezzjoni bil-lejżer, vetturi elettriċi, grilji intelliġenti, u komunikazzjonijiet 5G.
Arsenid tal-gallju (GaAs)huwa materjal semikonduttur magħruf għall-frekwenza għolja tiegħu, mobilità għolja ta 'l-elettroni, produzzjoni ta' enerġija għolja, storbju baxx, u linearità tajba. Huwa użat ħafna fl-industriji optoelettronika u mikroelettronika. Fl-optoelettronika, is-sottostrati tal-GaAs jintużaw biex jimmanifatturaw LED (dijodi li jarmu d-dawl), LD (dijodi tal-lejżer), u apparati fotovoltajċi. Fil-mikroelettronika, huma impjegati fil-produzzjoni ta 'MESFETs (transistors b'effett ta' kamp ta 'semikondutturi tal-metall), HEMTs (transistors ta' mobilità għolja ta 'elettroni), HBTs (transisters bipolari eterojunction), ICs (ċirkwiti integrati), diodes microwave, u apparati b'effett Hall.
Fosfid tal-Indju (InP)hija waħda mis-semikondutturi komposti III-V importanti, magħrufa għall-mobilità għolja ta 'l-elettroni tagħha, reżistenza eċċellenti għar-radjazzjoni, u bandgap wiesgħa. Huwa użat ħafna fl-industriji optoelettronika u mikroelettronika.
