Trejs tal-pin SiC għal proċessi ta 'inċiżjoni ICP fl-industrija LED

Trejs tal-brilli SiC għall-proċessi ta 'inċiżjoni ICP fl-industrija tal-LED Dehru Image

Deskrizzjoni qasira:

Il-karbur tas-silikon huwa tip ġdid ta 'ċeramika bi prestazzjoni ta' spiża għolja u proprjetajiet materjali eċċellenti.Minħabba karatteristiċi bħal saħħa u ebusija għolja, reżistenza għat-temperatura għolja, konduttività termali kbira u reżistenza għall-korrużjoni kimika, Silicon Carbide kważi jista 'jiflaħ il-medju kimiku kollu.Għalhekk, SiC jintużaw ħafna fil-minjieri taż-żejt, kimiċi, makkinarju u spazju tal-ajru, anke l-enerġija nukleari u l-militar għandhom it-talbiet speċjali tagħhom fuq is-SIC.

Aħna kapaċi disinn u manifattura skond id-dimensjonijiet speċifiċi tiegħek bi kwalità tajba u ħin ta 'kunsinna raġonevoli.

Ibgħat email lilna

Dettall tal-Prodott

Tags tal-Prodott

Deskrizzjoni tal-prodott

Il-kumpanija tagħna tipprovdi servizzi ta 'proċess ta' kisi tas-SiC permezz tal-metodu CVD fuq il-wiċċ tal-grafita, ċeramika u materjali oħra, sabiex gassijiet speċjali li fihom karbonju u silikon jirreaġixxu f'temperatura għolja biex jiksbu molekuli SiC ta 'purità għolja, molekuli depożitati fuq il-wiċċ tal-materjali miksija, li jiffurmaw saff protettiv SIC.

Karatteristiċi ewlenin:

1. Reżistenza għall-ossidazzjoni f'temperatura għolja:

ir-reżistenza għall-ossidazzjoni għadha tajba ħafna meta t-temperatura tkun għolja daqs 1600 C.

2. Purità għolja: magħmul minn depożizzjoni ta 'fwar kimiku taħt kundizzjoni ta' klorinazzjoni f'temperatura għolja.

3. Reżistenza għall-erożjoni: ebusija għolja, wiċċ kompatt, partiċelli fini.

4. Reżistenza għall-korrużjoni: aċidu, alkali, melħ u reaġenti organiċi.

Speċifikazzjonijiet ewlenin tal-Kisi CVD-SIC

SiC-CVD Proprjetajiet
Struttura tal-kristall	Fażi FCC β
Densità	g/ċm ³	3.21
Ebusija	Ebusija Vickers	2500
Daqs tal-qamħ	μm	2~10
Purità Kimika	%	99.99995
Kapaċità tas-Sħana	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura tas-sublimazzjoni	℃	2700
Qawwa Felexural	MPa (RT 4-punti)	415
Modulus taż-żgħażagħ	Gpa (liwja 4pt, 1300℃)	430
Espansjoni Termali (CTE)	10-6K-1	4.5
Konduttività termali	(W/mK)	300