Semicera jipprovdi kisjiet speċjalizzati tal-karbur tat-tantalu (TaC) għal diversi komponenti u trasportaturi.Il-proċess tal-kisi ewlieni tas-Semicera jippermetti kisjiet tal-karbur tat-tantalu (TaC) biex jiksbu purità għolja, stabbiltà ta 'temperatura għolja u tolleranza kimika għolja, ittejjeb il-kwalità tal-prodott tal-kristalli SIC/GAN u saffi EPI (Susceptor TaC miksi bil-grafita), u l-estensjoni tal-ħajja tal-komponenti ewlenin tar-reattur. L-użu tal-kisi TaC tal-karbur tat-tantalu huwa li ssolvi l-problema tat-tarf u jtejjeb il-kwalità tat-tkabbir tal-kristall, u Semicera ssolviet it-teknoloġija tal-kisi tal-karbur tat-tantalu (CVD), laħqet il-livell avvanzat internazzjonali.
Wara snin ta 'żvilupp, Semicera rebaħ it-teknoloġija ta'CVD TaCbl-isforzi konġunti tad-dipartiment tal-R&D. Id-difetti huma faċli li jseħħu fil-proċess tat-tkabbir tal-wejfers tas-SiC, iżda wara l-użuTaC, id-differenza hija sinifikanti. Hawn taħt hemm paragun ta 'wejfers bi u mingħajr TaC, kif ukoll partijiet Semicera għal tkabbir ta' kristall wieħed
bi u mingħajr TaC
Wara li tuża TaC (lemin)
Barra minn hekk, il-ħajja tas-servizz tal-prodotti tal-kisi TaC ta 'Semicera hija itwal u aktar reżistenti għal temperatura għolja minn dik tal-kisi SiC. Wara żmien twil ta 'dejta tal-kejl tal-laboratorju, it-TaC tagħna jista' jaħdem għal żmien twil f'massimu ta '2300 grad Celsius. Dawn li ġejjin huma wħud mill-kampjuni tagħna:
(a) Dijagramma skematika ta' apparat għat-tkabbir ta' ingotti ta' kristall wieħed SiC bil-metodu PVT (b) Bracket taż-żerriegħa ta' fuq miksija b'TaC (inkluża żerriegħa SiC) (c) Ċirku ta' gwida tal-grafita miksi b'TAC
